英特尔美国先进封装技术助力下一代AI半导体
摘要
英特尔介绍其美国新墨西哥州工厂的先进封装技术（Foveros、EMIB、EMIB-T），用于将多个专用芯片互连成强大单元，以支撑下一代AI工作负载。
核心要点
- 英特尔的先进封装技术可将封装规模扩展至当前行业标准的8倍，并计划到2028年超过12倍。
- Foveros技术通过硅中介层垂直堆叠芯片，实现不同设计或技术节点的芯片集成。
- EMIB技术仅在需要处嵌入高速硅桥，相比昂贵的中介层节省成本，实现芯片间高速通信。
- 2026年新开发的EMIB-T增加了供电通道，直接为芯片供电，提升能效并满足HBM需求。
- 英特尔新墨西哥工厂从1980年的25名员工增长至2700名员工和500家供应商。
原文佐证
- scaling packages to 8x the industry standard today, and over 12x by 2028.
AI 洞察
英特尔通过将先进封装作为代工业务的差异化优势，正在从传统IDM向开放代工平台转型。Foveros和EMIB技术不仅提升芯片性能，还降低了系统级成本，有望吸引更多AI芯片设计客户。随着2028年封装规模进一步扩大，英特尔可能在先进封装领域建立领先地位，对台积电等竞争对手形成挑战。